今年內量產！SK海力士V10 NAND採375層堆疊設計 「鉬取代鎢」有望助力性能提升
鉅亨網·2026-06-11 10:45·國際
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SK海力士宣布V10 NAND採用375層堆疊設計，採用鉬取代鎢以提升性能，預計今年內量產，聚焦記憶體性能與產能。
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