ASML、蔡司：下一代晶片製造技術約10年內問世

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ASML與蔡司論文稱，後繼技術Hyper NA約10年內可就緒，能製作更微小電路。
論文指Hyper NA可做到5奈米特徵，且多數可重用現有技術，蔡司反射鏡已達標。
ASML光源可原樣沿用；英特爾已用High NA，三星、SK海力士擬2028年跟進，台積電估2030導入。

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