蔡司

ASML、蔡司：下一代晶片製造技術約10年內問世

ASML與蔡司論文稱，後繼技術Hyper NA約10年內可就緒，能製作更微小電路。
論文指Hyper NA可做到5奈米特徵，且多數可重用現有技術，蔡司反射鏡已達標。
ASML光源可原樣沿用；英特爾已用High NA，三星、SK海力士擬2028年跟進，台積電估2030導入。

最強曝光機已有接班人？艾司摩爾攜蔡司揭Hyper NA藍圖 估十年後就緒

ASML與蔡司論文稱，接替High NA EUV的Hyper NA約10年後可就緒，可印製更小晶片電路。
論文指Hyper NA可印製最小5奈米特徵，現有光源可沿用，蔡司鏡面精度已足夠支援。
英特爾已用High NA量產，三星與SK海力士擬2028年跟進，台積電規劃2030年採用。

蔡司高層：中國開發EUV落後15年！警告出口管制恐反助本土創新

駁AI光刻瓶頸疑慮！蔡司：德國總部新廠擴產2.5萬平方公尺 撐ASML至2040年

神山AI供應鏈再升級！經部赴德插旗 蔡司、德芯科技點頭「加碼」台灣

經濟部政務次長江文若率團赴德國招商，成功鎖定半導體材料、設備及光學領域的國際關鍵技術領導廠商。成功促成蔡司、德芯兩大德商在半導體先進材料、在地研發及快速驗證等領域展開後續合作對話，並強化未來在台灣的投資規劃。