破天荒！韓媒：三星將採台積電3奈米製程 為輝達生產下一代HBM基底裸片
內容摘要鉅亨網 提供129 字三星將為輝達下一代HBM4E改用台積電3奈米製作基底裸片，僅限客製化產品。 輝達要求三星、SK海力士、美光統一規格：基底裸片採台積電3奈米，核心裸片用第六代DRAM(1c)。 三星仍保留標準版HBM與其他客戶的全包生產，並評估自家產線作備案。
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