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全面突破!三星3D DRAM變「晶圓級樂高」專家:水平電容+GAA+PoC 目標是低壓低密度的全新DRAM單元

短缺不是短期!小摩:HBM規格降級是市場誤讀 2026-2028年需求複合成長率仍達63%

〈工業生產指數〉連29紅!8月工業生產指數單月及前8月雙成長逾2成 Q4可望續旺
8月工業生產指數145.97,年增23.47%;製造業年增24.61%,連29紅。 AI、HPC、雲端需求旺,帶動電子零組件、IC與伺服器設備大增,電腦電子光學年增95.72%。 經濟部估9月生產指數較8月略回檔,生產動向指數49.5。

全球DRAM模組廠去年營收212億美元 年增幅達59%
【優分析即時新聞】台表科(6278)光通訊業務放量在即,1.6T時程提前,2027年營收挑戰年增20%
【優分析即時新聞】威剛(3260)8月營收連6月創高年增279.81%,前8月首度突破千億元大關

DRAM第三季最高漲30% 雲端巨頭提前接受明年Q1再漲價

首展LPDDR6!長鑫科技新品與「豆包手機」一同亮相 LPDDR5X全面進入陸主流旗艦機
長鑫科技在2026世界製造業大會發布第五代DRAM技術平台G5,並展出LPDDR5X新品與搭載該記憶體的豆包手機。 G5平台採四重曝光技術,記憶體陣列主動區半間距微縮至11.95奈米。 LPDDR6則於8月29日量產,速率12800Mbps、功耗降20%。

長鑫存儲傳進軍NAND市場 美光、SK海力士該緊張了?
長鑫存儲傳將在北京新廠建NAND研發線,跨足產品版圖 若推進商業生產,初期恐以中國市場為主,長江存儲受衝擊較大 Counterpoint:全球NAND市占三星28%、SK海力士19%、美光15%、長江存儲14%
中國記憶體追得比想像快?南韓最新評估曝光,技術差距大幅縮小

盤前各漲3%、5%!SK海力士又傳出與英特爾合作在美生產記憶體晶片 兩大潛在方案曝光

中韓記憶體代差縮小:NAND只剩1年、DRAM約2年 HBM仍卡關

美光推全球首款512GB DDR5記憶體模組 預計2027下半年量產
美光 (MU-US) 在高容量伺服器記憶體領域取得新進展,已成功在多款伺服器平台展示全球首款512GB DDR5 RDIMM,並預計於2027年下半年依客戶需求投入量產。

記憶體佔據半邊天!今年Q2全球半導體收入4250億美元創史高 全年估暴增五成至1.25兆

DRAM/NAND齊漲30%起!陸媒:蘋果接受三星2027年Q1記憶體報價

創見攻高速運算 推64GB工業用DDR5
創見(2451-TW)今(14)日宣布,推出DDR5-6400 CUDIMM與CSODIMM工業用記憶體模組,提供單條64GB高容量,滿足邊緣AI、智慧製造、工業自動化及高效能嵌入式系統的運算需求。

美光AI霸主地位將延續?分析師:記憶體成半導體「主要驅動力」
AI資料中心投資持續擴張,記憶體占半導體營收比重升至50%至55%。分析師預期DRAM、NAND價格續漲,美光、SanDisk與HBM需求同步受惠。

DRAM、NAND雙雙漲價!美光月底財報有望再報喜
美光科技(MU-US)近期股價持續走高,最新記憶體晶片價格數據也為即將公布的財報增添利多。美光周二(8日)盤中上漲0.23%,每股暫報1,019.96美元,過去一個月累計大漲18%,反映投資人資金重新湧入人工智慧(AI)

長鑫科技首場業績會:淨利776億、營收暴增873%、LPDDR6全球首發上旗艦機

罕見!蘋果放棄壓價改簽NAND長約 專家:AI擠壓產能令記憶體議價權易主

蘋果採用中國記憶體要成真?長鑫科技發表聲明釋訊號
蘋果與中國記憶體大廠長鑫科技合作談判再傳正面訊號,長鑫科技積極擴充DRAM、HBM產能,並推進LPDDR6、HBM3量產,最快2030年量產規模有望超越美光。

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短缺惡化 !韓券商:三星、SK海力士記憶體庫存量不足10天
華邦電(2344)記憶體毛利率衝上70.3%、稼動率100%!eSSD與CUBE接棒下一波成長

長鑫科技DRAM市占首破10%、躍居全球第4!2028年拚18%挑戰三星、SK海力士
長鑫科技2026年第2季DRAM營收市占率首度突破10%、躍居全球第4,受惠常規DRAM供應吃緊快速擴產,市場預估2028年市占率有望達18%。

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HBM現貨價狂飆 三星7成產能鎖到2031年 長約價僅現貨20%
隨著AI基礎建設對高頻寬記憶體(HBM)需求持續飆升,三星電子已將高達70%的記憶體產能透過長期供應協議(LTA)鎖定,合約期限延伸至2031年。

記憶體漲不停 DRAM、NAND將吃掉雲端巨頭68%資本支出

HBM現貨價飆5倍!HBM4良率不佳、長約鎖產掀供給荒
近期用於AI加速器的高頻寬記憶體(HBM)等DRAM產品價格持續飆升。業界近日指出,三星電子與SK海力士兩大廠商合計占全球記憶體晶片市場約70%,目前已難以跟上激增的DRAM需求。